报告时间：2019年6月18日（星期二）9:30

报告地点：屯溪路校区逸夫楼1117

报 告 人：于坤山，教授级高级工程师

工作单位：第三代半导体产业技术创新战略联盟

报告人简介：

于坤山，教授级高级工程师，享受国务院政府特殊津贴和人事部有突出贡献中青年专家称号。中国电机工程学会会员。电力行业电能质量及柔性输电标准化技术委员会委员。长期从事电力电子、电能质量技术研发和标准化工作。曾就职于中国电力科学研究院和全球能源互联网研究院（原智能电网研究院），先后担任中国电科院电力电子研究所和微电子研究所所长，全球能源互联网研究院（原智能电网研究院）电工新材料及微电子研究所所长。在国网工作期间，参与了SVC、DVR、SSTS、STATCOM、可控并联电抗器等电网核心装置和系统的技术研发、示范和工程应用，参与组建了国网IGBT和SiC等新型功率器件研发团队。现任第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长。

报告简介：

碳化硅和氮化镓等新一代宽禁带半导体材料和器件与电力电子技术广泛和深入结合，将带来一场新的电力技术革命。历史上，电力电子技术在电力系统中的应用，推动了电力技术的不断进步和发展。本讲座将以碳化硅和氮化镓电力电子技术为驱动，结合其轻量化、高频率、耐高温、低损耗等特性，介绍在新能源汽车、新能源并网、电力变换等领域的应用现状，面向直流微电网、能源物联网等一些新的系统应用形态，探讨电力系统未来技术发展前沿和趋势。